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发布时间： 2015/11/20 15:30:18 | 706 次阅读
| 数据列表 |
MC1413(B), NCV1413B |
|---|---|
| 产品相片 |
16-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 |
分立半导体产品 |
| 家庭 |
晶体管（BJT） - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
| 电流 - 集电极（Ic）（值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（值） | 50V |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值） | 1.6V @ 500μA，350mA |
| 电流 - 集电极截止（值） | - |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） | 1000 @ 350mA，2V |
| 功率 - 值 | - |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 产品目录页面 |
1129 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 |
MC1413BDR2GOS MC1413BDR2GOS-ND MC1413BDR2GOSTR |
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深圳市中意法电子科技有限公司
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