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深圳市中源微半导体科技有限公司 > 新闻动态 > IRFD120PBF 原装现货 价格优势 欲购从速

IRFD120PBF 原装现货 价格优势 欲购从速

发布时间: 2015/7/31 14:38:01 | 601 次阅读

数据列表 IRFD120
产品相片 4-DIP
产品目录绘图 IR(F,L)D Series Side 1
IR(F,L)D Series Side 2
标准包装 ?  2,500
类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列 -
包装 ?  管件 ? 
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 270 毫欧 @ 780mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 360pF @ 25V
功率 - 值 1.3W
安装类型 通孔
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFD120PBF


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