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SIHG20N50C-E3 原装现货 价格优势 欲购从速
发布时间： 2015/7/31 14:44:19 | 645 次阅读
| 数据列表 |
SIHG20N50C |
|---|---|
| 产品相片 |
TO-247-3 |
| 特色产品 |
SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs |
| PCN 组件/产地 |
SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 |
标准包装 
|
500 |
| 类别 |
分立半导体产品 |
| 家庭 |
FET - 单 |
| 系列 | - |
|
包装
|
散装
|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 500V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 20A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 270 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 76nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2942pF @ 25V |
| 功率 - 值 | 250W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 产品目录页面 |
1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SIHG20N50CE3 |
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