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BSM25GD120DN2 原装现货 价格优势
发布时间: 2015/8/6 10:24:56 | 851 次阅读
包装 | 17EconoPACK 2A |
配置 | Hex |
引脚数 | 17 |
集电极发射极电压 | 1200 V |
连续集电极电流 | 35 A |
栅极发射极电压 | ±20 V |
安装 | Screw |
外形尺寸 | 107.5 x 45 x 17mm |
身高 | 17mm |
长度 | 107.5mm |
功率耗散 | 200 W |
安装类型 | Through Hole |
包装类型 | ECONOPACK 2 |
宽度 | 45mm |
RoHS指令 | Compliant |
栅极 - 射极漏泄电流 | 180 nA |
产品 | IGBT Silicon Modules |
产品种类 | IGBT Modules |
工厂包装数量 | 500 |
连续集电极电流在25 C | 35 A |
集电极 - 发射极电压VCEO | 1200 V |
安装风格 | Screw |
功率耗散 | 200 W |
工作温度 | - 40 C |
封装/外壳 | EconoPACK 2A |
集电极 - 发射极饱和电压 | 2.5 V |
工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | :N Channel |
DC Collector Current | :35A |
Collector Emitter Voltage Vces | :3V |
功耗 | :200W |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :1.2kV |
Operating Temperature Min | :-40°C |
Operating Temperature Max | :125°C |
Transistor Case Style | :EconoPACK |
No. of Pins | :17 |
Current Ic Continuous a Max | :25A |
Current Temperature | :80°C |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Module Configuration | :Six |
No. of Transistors | :6 |
工作温度范围 | :-40°C to +125°C |
Power Dissipation Max | :200W |
Pulsed Current Icm | :50A |
端接类型 | :Solder |
Voltage Vce Sat Typ | :2.5V |
Voltage Vces | :1.2kV |
Weight (kg) | 0.18 |
Tariff No. | 85415000 |
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