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深圳市中源微半导体科技有限公司 > 新闻动态 > BSM100GB120DN2 原装现货 价格优势

BSM100GB120DN2 原装现货 价格优势

发布时间: 2015/8/6 10:08:00 | 626 次阅读

规格书 BSM100GB120DN2K datasheet 规格书
包装 762MM
配置 Dual
引脚数 7
集电极发射极电压 1200 V
连续集电极电流 145 A
栅极发射极电压 ±20 V
安装 Screw
栅极 - 射极漏泄电流 400 nA
产品 IGBT Silicon Modules
产品种类 IGBT Modules
工厂包装数量 500
连续集电极电流在25 C 145 A
集电极 - 发射极电压VCEO 1200 V
安装风格 Screw
功率耗散 700 W
封装/外壳 Half Bridge1
集电极 - 发射极饱和电压 2.5 V
工作温度 + 150 C
RoHS No


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