源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):170
漏极电流Id(on)(A):2.600
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150
描述:-60 V, -2.6 A,功率MOSFET

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