类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 43A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 91nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2900pF @ 25V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3.8W（Ta），300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 54 毫欧 @ 26A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3


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