MGSF1N03LT1G

发布时间： 2017/6/20 17:07:50 | 523 次阅读

数据列表	MGSF1N03LT1;
标准包装	3,000
包装	标准卷带
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	-
其它名称	MGSF1N03LT1GOS MGSF1N03LT1GOS-ND MGSF1N03LT1GOSTR

规格

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.6A（Ta）
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
Vgs (Max)	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	140pF @ 5V
FET 功能	-
功率耗散（值）	420mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	100 毫欧 @ 1.2A，10V
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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深圳市中意法电子科技有限公司
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电话: (86)-0755-83267375/15989494794
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集成电路(IC)(6)

电源IC(4)

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