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STW70N60DM2
发布时间： 2017/4/5 17:28:16 | 486 次阅读
| 制造商: | STMicroelectronics | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 技术: | Si | |
| 安装风格: | Through Hole | |
| 封装 / 箱体: | TO-247-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 600 V | |
| Id-连续漏极电流: | 66 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 42 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V | |
| Qg-栅极电荷: | 121 nC | |
| 工作温度: | - 55 C | |
| 工作温度: | + 150 C |
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深圳市中意法电子科技有限公司
联系人：刘明
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中意法电子连续四年荣获“电子元器件行业十大优质供应商
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