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STW26NM60N
发布时间： 2017/6/14 16:43:02 | 629 次阅读
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronicsRoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 135 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 50 ns
正向跨导 - 值: 10 S
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
Pd-功率耗散: 140 W
上升时间: 25 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 600
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深圳市中意法电子科技有限公司
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